在美對華半導體技術封鎖持續(xù)升級的嚴峻形勢下，中國芯片產(chǎn)業(yè)正進行一場關乎“毫厘精度”與“供應鏈安全”的生死突圍。這場突圍戰(zhàn)的制勝關鍵，不僅在于光刻機等核心裝備，更在于無數(shù)精密制造環(huán)節(jié)的自主可控。其中，超高純環(huán)境下的壓力穩(wěn)定控制，正是半導體制造中一個極易被忽視卻至關重要的“隱形門檻”。

01半導體制造的“隱形門檻”：壓力控制的極致挑戰(zhàn)

作為現(xiàn)代科技產(chǎn)業(yè)的基石，半導體制造對工藝精度有著極致追求，從晶圓加工、光刻、刻蝕、薄膜沉積到封裝測試，每一個環(huán)節(jié)都必須在近乎苛刻的超高純環(huán)境中進行。壓力參數(shù)的微小波動，輕則導致薄膜不均勻、刻蝕速率偏差，重則直接造成整批晶圓報廢，成為良率提升的“隱形殺手”。尤其在前道工藝中，SiH?、PH?、AsH?、ClF?、HF等超純、劇毒、高腐蝕性特氣的精準控制，對壓力傳感器提出了近乎極限的要求：

零污染保障：接觸氣體的部件必須極致純凈，杜絕任何金屬離子、顆粒或有機物析出污染工藝氣體。

卓越耐腐蝕性：能長期穩(wěn)定抵抗HF、ClF?等強腐蝕性特氣的侵蝕，避免變送器失效或發(fā)生致命泄漏。

毫秒級響應能力：實時捕捉氣體流量的瞬時變化，保障刻蝕均勻性和沉積速率的一致性。

強抗電磁干擾：在Fab廠復雜的電磁環(huán)境中保持信號輸出穩(wěn)定可靠。

安全冗余設計：必須防范有毒/易燃氣體外泄風險，保障Fab廠千億級資產(chǎn)和人員生命安全。

長期服役穩(wěn)定性：最大限度減少校準頻率和停機維護，確保持續(xù)可靠運行，降低綜合成本。

傳統(tǒng)壓力傳感器常因材料純度不足、耐腐蝕性差、長期漂移等問題，成為良率提升的“絆腳石”和安全運行的隱患，在封鎖背景下更凸顯其“卡脖子”屬性。

02自主創(chuàng)新破局：松諾盟S270系列攻克半導體壓力測量難題

面對半導體制造對壓力控制的嚴苛需求，松諾盟以自主研發(fā)的納米薄膜技術為核心，推出S270系列超高純壓力變送器。該產(chǎn)品突破傳統(tǒng)性能瓶頸，實現(xiàn)超高純度、精準測量與長效穩(wěn)定的統(tǒng)一，為國產(chǎn)半導體產(chǎn)業(yè)鏈提供自主可控的關鍵測量解決方案。

松諾盟八大核心技術優(yōu)勢

1、特殊合金材料

松諾盟S270系列超高純壓力變送器核心壓力芯體及主體結構均采用強耐腐蝕性合金材料，結合內部特殊處理技術，能有效抵抗大多數(shù)特氣的侵蝕，從根源上杜絕金屬離子污染風險。

2、卓越的表面潔凈度

光潔度達 Ra ≤ 0.13um (10級以上)，有效減少顆粒析出與吸附，完美適配超高純度氣體要求，保障工藝氣體純凈度。

3、極低氦漏率

高強度密封焊接，氦氣漏率 ≤ 10-10Pa·m3/sec（He)，杜絕泄漏風險，滿足嚴苛真空與超高純環(huán)境密封標準。

4、極致的穩(wěn)定性與耐用性

先進的納米薄膜敏感材料技術與原子薄膜沉積技術，提供優(yōu)異的長期穩(wěn)定性。

主動溫度補償技術，確保在寬溫范圍內(-40℃至高達250℃)擁有極小的溫度漂移，適應半導體設備高溫工況。

百萬次壓力循環(huán)壽命驗證，減少校準維護，提升設備綜合利用率

特殊的鋼基薄膜技術，量程范圍寬廣 (0~0.1~...~20MPa)，應用靈活。

5、卓越的EMC穩(wěn)定性與多項認證 (CE, RoHS)，確保設備安全可靠運行。

6、堅固可靠，適應嚴苛環(huán)境：

防護等級 IP67，無懼戶外及工業(yè)現(xiàn)場粉塵、水汽侵擾。

緊湊型設計，輕松應對設備內部有限空間安裝。

7、精準測量，穩(wěn)定護航：

搭載自主研制的納米薄膜壓力芯體，提供 ±0.2%FS, ±0.5%FS, ±1.0%FS 多種精度等級選擇，滿足不同應用場景需求。

具備清零功能，便于現(xiàn)場校準與調試。

產(chǎn)品制造全程在潔凈車間完成，確保產(chǎn)品的高安全性、高質量和高交付標準。

8、設備國產(chǎn)化替代：兼容國際主流半導體設備接口協(xié)議，助力供應鏈自主可控；

03為什么選擇松諾盟？

“不僅是壓力變送器，更是良率與安全的**雙重保險”——

? 材料純度：超SEMI F20標準，純度對標航天級

? 技術指標：氦漏率、溫度范圍、精度全面超越國際競品

? 國產(chǎn)基因：深度理解本土制造痛點，定制化開發(fā)響應速度大幅提升04行動召喚：讓國產(chǎn)傳感器守護中國“芯”命脈！

7月30日 13:30，松諾盟首席科學家雷衛(wèi)武邀您共赴智能制造大會半導體專場！

重磅發(fā)布：《納米薄膜壓力傳感器的技術優(yōu)勢及在半導體領域中的應用》